IRFD9110PBF

IRFD9110PBF. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRFD9110PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Carcaça (padrão JEDEC): 1.2 Ohms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 20:25.