Transistores

C (pol.): 6920pF. Custo): 600pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 36ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Id(im): 670A. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 170A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: FB3207. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 3.3M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 75V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4520pF. Custo): 500pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 31 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Id(im): 620A. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 3.3M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4750pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Id(im): 512A. DI (T=100°C): 90A. DI (T=25°C): 128A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 0.0046 Ohm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 75V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Id(im): 310A. DI (T=100°C): 56A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 75V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. C (pol.): 3070pF. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 800pF. Custo): 74pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 64 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Parâmetros principais otimizados para áudio Classe D. Id(im): 51A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. On-resistência Rds On: 80m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: MOSFET de áudio digital. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4.9V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1200pF. Custo): 91pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 82 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Parâmetros principais otimizados para áudio Classe D. Id(im): 52A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 80m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 7.8 ns. Tecnologia: MOSFET de áudio digital. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 4.9V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 9620pF. Custo): 670pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chave PDP. Id(im): 670A. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 370W. On-resistência Rds On: 3.7m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 78 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Peso: 1.99g. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Custo): 490pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 86 ns. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 74A. DI (T=25°C): 104A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 380W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 18 ns. Td(ligado): 41 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Peso: 1.99g. C (pol.): 5270pF. Id(im): 420A. On-resistência Rds On: 0.0093 Ohms. Função: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4600pF. Custo): 460pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chave PDP. Id(im): 260A. DI (T=100°C): 46A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. On-resistência Rds On: 19.7m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4530pF. Custo): 550pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 76 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chave PDP. Id(im): 330A. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 83A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. On-resistência Rds On: 12m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4560pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Amplificador de áudio classe D 300W-500W (meia ponte). Id(im): 180A. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 46A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. On-resistência Rds On: 38m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3430pF. Custo): 530pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 220 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 180A. DI (T=100°C): 31A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: FB42N20D. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. On-resistência Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: SMPS, conversores DC-DC de alta frequência. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4820pF. Custo): 340pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 220 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de energia de alta velocidade. Id(im): 390A. DI (T=100°C): 69A. DI (T=25°C): 97A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: IRFB4410ZPBF. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 0.072 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 7670pF. Custo): 540pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. Id(im): 550A. DI (T=100°C): 92A. DI (T=25°C): 130A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: IRFB4310. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 5.6M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 68 ns. Td(ligado): 26 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 6160pF. Custo): 440pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 74 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. Id(im): 300A. DI (T=100°C): 53A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: FB4710. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFB4710PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 35 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 41 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6160pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 2770pF. Custo): 590pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 230A. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 51A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: FB52N15D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Função: Conversores DC-DC de alta frequência, display de plasma. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1750pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: para aplicações de amplificador de áudio classe D. Id(im): 140A. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: IRFB5615PbF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 144W. On-resistência Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 17.2ns. Td(ligado): 8.9 ns. Tecnologia: MOSFET de áudio digital. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1000A. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 250A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 1.5M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 78 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.2V. C (pol.): 7330pF. Custo): 1095pF. Função: Aplicações de acionamento de motor BLDC, circuitos alimentados por bateria, conversores DC/DC e AC/DC. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 250A/195A. Potência: 230W. On-resistência Rds On: 0.0015 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 40V

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 172A/120A. Potência: 143W. On-resistência Rds On: 0.002 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 40V

C (pol.): 4730pF. Custo): 680pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 770A. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 172A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 143W. On-resistência Rds On: 2M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 115 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.2V. Função: Aplicações de acionamento de motor BLDC, circuitos alimentados por bateria, conversores DC/DC e AC/DC. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 123A/120A. Potência: 99W. On-resistência Rds On: 0.0026 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 40V

C (pol.): 1400pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 530 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 37A. DI (T=100°C): 5.8A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. DI (T=100°C): 5.4A. DI (T=25°C): 8.5A. Idss (máx.): 8.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. On-resistência Rds On: 0.93 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 650V