Transistores

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9620PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -1.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 2.4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 700pF. Custo): 200pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 26A. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: P. Corrente máxima de drenagem: 6.5A. Potência: 75W. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -200V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9630PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ -3.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 28 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 74W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1200pF. Custo): 370pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 44A. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Potência: 125W. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Carcaça: TO-220AB. Marcação do fabricante: IRF9640PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: P. Corrente máxima de drenagem: 11A. Potência: 125W. On-resistência Rds On: 0.5 Ohms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -200V

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F9640S. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F9952. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns/19 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 190/190pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F9952Q. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns/19 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 190/190pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F9953. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 190pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 350pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 48A. DI (T=100°C): 8.5A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 620pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 54ms. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Id(im): 68A. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Carcaça: TO-220AB. Marcação do fabricante: IRF9Z34NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 620pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 68W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: P. Corrente máxima de drenagem: 17A. Potência: 56W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -55V

C (pol.): 620pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 54ms. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Id(im): 68A. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F9Z34NS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 620pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 68W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 1423pF. Custo): 208pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 510 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. On-resistência Rds On: 0.52 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 14 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, baixa carga de porta 52nC. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2830pF. Custo): 3310pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 68A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 50uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 220W. On-resistência Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2870pF. Custo): 3480pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 80A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 50uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 0.21 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1200pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. Id(im): 92A. DI (T=100°C): 17A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: B23N15D. Pd (dissipação de energia, máx.): 136W. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 18 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4220pF. Custo): 580pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 220A. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 56A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: FB260N. Pd (dissipação de energia, máx.): 380W. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: SMPS, conversores DC-DC de alta frequência. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 8970pF. Custo): 1020pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 44 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Id(im): 1080A. DI (T=100°C): 190A. DI (T=25°C): 270A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 375W. On-resistência Rds On: 0.0021 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 118 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 9400pF. Custo): 820pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Id(im): 850A. DI (T=100°C): 150A. DI (T=25°C): 210A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 370W. On-resistência Rds On: 0.0028 Ohm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 69 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 75V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 6540pF. Custo): 720pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Id(im): 840A. DI (T=100°C): 150A. DI (T=25°C): 210A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 6920pF. Custo): 600pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 36ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Id(im): 670A. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 170A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 3.3M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 75V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS