IRFB3006

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Conjunto de 1

IRFB3006. C (pol.): 8970pF. Custo): 1020pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 44 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Id(im): 1080A. DI (T=100°C): 190A. DI (T=25°C): 270A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 375W. On-resistência Rds On: 0.0021 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 118 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 06:25.

Documentação técnica