IRFB3206

IRFB3206. C (pol.): 6540pF. Custo): 720pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Id(im): 840A. DI (T=100°C): 150A. DI (T=25°C): 210A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 07:25.