Transistor de canal N, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3206

Transistor de canal N, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3206. Transistor de canal N, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 150A. DI (T=25°C): 210A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 2.4M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 6540pF. Custo): 720pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Proteção GS: NINCS. Id(im): 840A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 19:25.