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IRF840AS

IRF840AS

C (pol.): 1018pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener ...
IRF840AS
C (pol.): 1018pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 422 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
IRF840AS
C (pol.): 1018pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 422 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
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IRF840ASPBF

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. ...
IRF840ASPBF
RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF840ASPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1018pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF840ASPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1018pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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IRF840PBF

IRF840PBF

Marcação do fabricante: IRF840PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A...
IRF840PBF
Marcação do fabricante: IRF840PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 49 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 8A. Potência: 125W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 500V
IRF840PBF
Marcação do fabricante: IRF840PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 49 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 8A. Potência: 125W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 500V
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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. ...
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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF840SPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 49 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
IRF840SPBF
RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF840SPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 49 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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IRF8707G

C (pol.): 760pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 12 ns. Tipo de transistor: MOSF...
IRF8707G
C (pol.): 760pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 12 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 88A. DI (T=100°C): 9.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: IRF8707G. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 7.3 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 4.5V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim
IRF8707G
C (pol.): 760pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 12 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 88A. DI (T=100°C): 9.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: IRF8707G. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 7.3 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 4.5V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim
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IRF8736PBF

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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Conf...
IRF8736PBF
RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F8736. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohms @ 18A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.35V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 13 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2315pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
IRF8736PBF
RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F8736. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohms @ 18A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.35V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 13 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2315pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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IRF8788PBF

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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Conf...
IRF8788PBF
RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F8788. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.35V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5720pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
IRF8788PBF
RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F8788. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.35V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5720pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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IRF9240

IRF9240

C (pol.): 1200pF. Custo): 570pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener ...
IRF9240
C (pol.): 1200pF. Custo): 570pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 270ms. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 50M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 38 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204AA ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: HEXFET. Proteção GS: NINCS
IRF9240
C (pol.): 1200pF. Custo): 570pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 270ms. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 50M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 38 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204AA ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: HEXFET. Proteção GS: NINCS
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IRF9310

IRF9310

Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação de laptop. Id(im): ...
IRF9310
Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação de laptop. Id(im): 160A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.039 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 25 ns. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1.3V. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: sim
IRF9310
Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação de laptop. Id(im): 160A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.039 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 25 ns. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1.3V. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: sim
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IRF9510PBF

IRF9510PBF

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Confi...
IRF9510PBF
RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9510PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 43W. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1
IRF9510PBF
RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9510PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 43W. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1
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IRF9520

C (pol.): 390pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener ....
IRF9520
C (pol.): 390pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 98 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 27A. DI (T=100°C): 4.8A. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
IRF9520
C (pol.): 390pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 98 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 27A. DI (T=100°C): 4.8A. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
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IRF9520N

IRF9520N

C (pol.): 350pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOS...
IRF9520N
C (pol.): 350pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Id(im): 27A. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
IRF9520N
C (pol.): 350pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Id(im): 27A. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Confi...
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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9520. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 28 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Carcaça (padrão JEDEC): 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C
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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9520. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 28 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Carcaça (padrão JEDEC): 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C
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RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK...
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RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F9520. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 28 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C
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RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F9520. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 28 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C
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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Confi...
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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9520PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 390pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C
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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9520PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 390pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C
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C (pol.): 860pF. Custo): 340pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSF...
IRF9530
C (pol.): 860pF. Custo): 340pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 48A. DI (T=100°C): 8.2A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 88W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 860pF. Custo): 340pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 48A. DI (T=100°C): 8.2A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 88W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 760pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener ....
IRF9530N
C (pol.): 760pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 56A. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
IRF9530N
C (pol.): 760pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 56A. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
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Carcaça: TO-220AB. Marcação do fabricante: IRF9530. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. ...
IRF9530NPBF
Carcaça: TO-220AB. Marcação do fabricante: IRF9530. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -14A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -8.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 760pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 79W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: P. Corrente máxima de drenagem: 14A. Potência: 75W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -100V
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Carcaça: TO-220AB. Marcação do fabricante: IRF9530. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -14A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -8.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 760pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 79W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: P. Corrente máxima de drenagem: 14A. Potência: 75W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -100V
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C (pol.): 1400pF. Custo): 590pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MO...
IRF9540
C (pol.): 1400pF. Custo): 590pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 72A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 34 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
IRF9540
C (pol.): 1400pF. Custo): 590pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 72A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 34 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 1300pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MO...
IRF9540N
C (pol.): 1300pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 76A. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.117 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 51 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
IRF9540N
C (pol.): 1300pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 76A. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.117 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 51 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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IRF9540NPBF

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: P. Corrente máxima de drenagem:...
IRF9540NPBF
Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: P. Corrente máxima de drenagem: 23A. Potência: 125W. On-resistência Rds On: 0.117 Ohms. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -100V. Carcaça: TO-220AB <.45/32nsec
IRF9540NPBF
Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: P. Corrente máxima de drenagem: 23A. Potência: 125W. On-resistência Rds On: 0.117 Ohms. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -100V. Carcaça: TO-220AB <.45/32nsec
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IRF9540NPBF-IR

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Confi...
IRF9540NPBF-IR
RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9540. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -11A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 140W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C
IRF9540NPBF-IR
RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9540. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -11A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 140W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C
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IRF9610

IRF9610

C (pol.): 170pF. Custo): 50pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . ...
IRF9610
C (pol.): 170pF. Custo): 50pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 7A. DI (T=100°C): 1A. DI (T=25°C): 1.8A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
IRF9610
C (pol.): 170pF. Custo): 50pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 7A. DI (T=100°C): 1A. DI (T=25°C): 1.8A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
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IRF9610PBF

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Confi...
IRF9610PBF
RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9610PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 170pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Carcaça (padrão JEDEC): 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
IRF9610PBF
RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9610PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 170pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Carcaça (padrão JEDEC): 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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IRF9620

IRF9620

C (pol.): 350pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener ....
IRF9620
C (pol.): 350pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Id(im): 14A. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS
IRF9620
C (pol.): 350pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Id(im): 14A. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS
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