Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.34€ | 1.65€ |
5 - 9 | 1.27€ | 1.56€ |
10 - 24 | 1.23€ | 1.51€ |
25 - 49 | 1.21€ | 1.49€ |
50 - 99 | 1.18€ | 1.45€ |
100 - 111 | 1.00€ | 1.23€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.34€ | 1.65€ |
5 - 9 | 1.27€ | 1.56€ |
10 - 24 | 1.23€ | 1.51€ |
25 - 49 | 1.21€ | 1.49€ |
50 - 99 | 1.18€ | 1.45€ |
100 - 111 | 1.00€ | 1.23€ |
Transistor de canal P, 12A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9530. Transistor de canal P, 12A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 860pF. Custo): 340pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 48A. DI (T=100°C): 8.2A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 88W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante Infineon (irf). Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 10:25.
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