IRL530N

IRL530N. C (pol.): 800pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 60A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 7.2 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET, controlado por nível lógico. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 22:25.