Transistores

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7313. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 650pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7313. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 650pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Função: Transistor MOSFET de canal P. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7314. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.058 Ohms @ -2.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 63 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 780pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: IDM--30Ap

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7316. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.098 Ohms @ -3.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 19 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 710pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 780pF. Custo): 430pF. Tipo de canal: N-P. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Função: 0.029R & 0.58R. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7317. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A / -5.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 6/-2.9A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12/22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 57/63 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 900/780pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N-P. Marcação na caixa: F7319. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Nota: ( = P23AF 4532 SMD ). Nota: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms

Id(im): 32A. DI (T=100°C): 6.4A. DI (T=25°C): 8A. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. On-resistência Rds On: 0.017 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tipo de transistor: PNP & PNP. Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 2. Função: Transistor Mosfet de canal P duplo, Resistência RDS ultrabaixa

Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Unidade de condicionamento: 95. Função: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns

Tipo de canal: P. Equivalentes: IRF7342PBF. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: IDM--27Ap

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7342. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 64 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 690pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7342. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 64 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 690pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N-P. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7343. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12/22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 48/64 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 740/690pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7343. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12/22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 48/64 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 740/690pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N-P. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7389. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A/-4.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 5.8/-4.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.1 ns/13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26/34 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 650/710pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1400pF. Custo): 330pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de potência de comutação rápida. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 400V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF740LC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1100pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF740PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 50 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 10A. Potência: 125W. Carcaça: TO-220. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 400V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF740SPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 50 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1600pF. Custo): 680pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 74 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 58A. DI (T=100°C): 9.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 12uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 8.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7413. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 7.3A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 52 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C