Transistores

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF540N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1960pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 130W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 1400pF. Custo): 330pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 110A. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRF540NSPBF. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.052 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F540NS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1960pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 130W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F540NS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1960pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 130W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF540PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 28A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 17A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 53 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 1770pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 140A. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 92W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. On-resistência Rds On: 21 milliOhms. Função: Resistência ultrabaixa, <0,021 Ohms. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 140pF. Custo): 53pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 10A. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 14 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: VGS @10V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 3.3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 1.16 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 200V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF610PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 11 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 140pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Carcaça (padrão JEDEC): 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 260pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 18A. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF620PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 260pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 860pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 160 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 44A. DI (T=100°C): 9A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 53 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): 50. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF630. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 540pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Pd (dissipação de energia, máx.): 72W. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: N-Channel MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 200V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF630N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 27 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 575pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 74W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF630PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 74W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 770pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 220 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8.1A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. On-resistência Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 4.2 ns. Td(ligado): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8.1A. Idss (máx.): 8.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. On-resistência Rds On: 0.348 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 250V. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 1300pF. Custo): 430pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 72A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1160pF. Custo): 185pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 167 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 72A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF640NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1160pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Carcaça (padrão JEDEC): 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F640NS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1160pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 18A. Potência: 125W. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 200V

C (pol.): 1300pF. Custo): 330pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 56A. DI (T=100°C): 8.5A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 53 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: td(on) 9.2ns, td(off) 18ns. Id(im): 45A. DI (T=100°C): 4.5A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss (máx.): 5.7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.028 Ohms. Tecnologia: DirectFET POWER MOSFET. Tensão Vds(máx.): 100V. Quantidade por caixa: 1. Nota: isométrico