Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF620

Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF620
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Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF620. Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 260pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 18A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 10:25.

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IRF630
Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): 50. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 200V. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF630. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 540pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
IRF630
Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): 50. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 200V. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF630. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 540pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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