Transistores

C (pol.): 2700pF. Custo): 600pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Repetitive Avalanche Ratings. Id(im): 48A. DI (T=100°C): 7.75A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204A ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3400pF. Custo): 1400pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 89 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 260A. DI (T=100°C): 52A. DI (T=25°C): 74A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF4905. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -74A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 18 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 61 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Carcaça (padrão JEDEC): 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F4905S. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F4905S. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 180pF. Custo): 81pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 5.6A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 43W. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Marcação do fabricante: IRF510PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 3.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 180pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 43W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 5.6A. Potência: 43W. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: TO-220. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V

C (pol.): 360pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 37A. DI (T=100°C): 6.5A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 8.8 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Carcaça: TO-220AB. Marcação do fabricante: IRF520NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 5.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4.5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 32 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 330pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 9.7A. Potência: 48W. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF520PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 5.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 360pF

C (pol.): 2700pF. Custo): 790pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 140A. DI (T=100°C): 29A. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 79 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: P. Corrente máxima de drenagem: 40A. On-resistência Rds On: 0.06 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -100V

C (pol.): 2860pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 140A. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 38A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 50uA. Marcação na caixa: F5210S. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.8W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F5210S. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -40A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 79 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 670pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 56A. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 88W. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1200pF. Custo): 520pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 71 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 110A. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Proteção GS: NINCS

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: P. Corrente máxima de drenagem: 31A. Potência: 110W. On-resistência Rds On: 0.06 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -55V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F5305S. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 110W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F5305S. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 110W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 920pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 93 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 9.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF530NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 35 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 920pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 14A. Potência: 75W. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V

C (pol.): 1700pF. Custo): 560pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: 1.3k Ohms. Id(im): 110A. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.077 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 53 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1960pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 115 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 110A. DI (T=100°C): 23A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. On-resistência Rds On: 0.044 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 33A. Potência: 130W. On-resistência Rds On: 0.044 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V