Transistores

C (pol.): 2400pF. Custo): 920pF. Tipo de canal: N. Id(im): 350A. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 050N03L. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 0.0058 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 6.7 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.2V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1900pF. Custo): 760pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Logic Level, Enhancement mode. Id(im): 200A. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 27uA. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: PN03L06. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 136W. On-resistência Rds On: 7.6m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: OptiMOS® Power-Transistor. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2860pF. Custo): 740pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Qualificação automotiva AEC Q101 . Id(im): 320A. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 2N0608. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 215W. On-resistência Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Carcaça: TO-262 ( I2-PAK ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-262. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Spec info: resistência ultrabaixa . Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 6.9W. On-resistência Rds On: 6m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Habitação (conforme ficha técnica): PG-SOT223. Temperatura operacional: -40...+150°C

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 33A. On-resistência Rds On: 0.065 Ohms. Potência: 171W. Carcaça: TO-220AC. Diodo embutido: sim

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 106A. On-resistência Rds On: 0.018 Ohms. Potência: 446W. Carcaça: TO-247AC. Diodo embutido: sim

C (pol.): 130pF. Custo): 430pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Single FET, Dual Source. Id(im): 72A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 5. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): HexSense TO-220F-5. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2800pF. Custo): 880pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca rápida, resistência ultrabaixa. Id(im): 330A. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 83A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3210pF. Custo): 690pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 290A. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. On-resistência Rds On: 0.11 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Usado para: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Vgs 20V. DI (T=100°C): 71A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Resistência Ultra Baixa (Rds). Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 40V

C (pol.): 1900pF. Custo): 450pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: relação dv/dt dinâmica, comutação rápida. Id(im): 140A. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF1310NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 41A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1900pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F1310NS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1900pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 5790pF. Custo): 3440pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 46 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Id(im): 1412A. DI (T=100°C): 249A. DI (T=25°C): 353A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 1.2M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 83 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 24V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 7360pF. Custo): 1680pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 71 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(im): 650A. DI (T=100°C): 115A. DI (T=25°C): 162A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 3.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF1404PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 202A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 121A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 46 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5669pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 333W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 4340pF. Custo): 1030pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(im): 750A. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 190A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 220W. On-resistência Rds On: 2.7M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F1404S. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 162A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 72 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 7360pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 4340pF. Custo): 1030pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(im): 750A. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 190A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 220W. On-resistência Rds On: 2.7M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 5480pF. Custo): 1210pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 88 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(im): 680A. DI (T=100°C): 118A. DI (T=25°C): 169A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. On-resistência Rds On: 0.0046 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Marcação do fabricante: IRF1405PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 169A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5480pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 330W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 169A. Potência: 150W. On-resistência Rds On: 0.0053 Ohms. Carcaça: TO-220. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 55V

C (pol.): 4780pF. Custo): 770pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 600A. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 0.0037 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 5600pF. Custo): 890pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tensão limite do diodo: 1.3V. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(im): 520A. DI (T=100°C): 92A. DI (T=25°C): 130A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. On-resistência Rds On: 0.0078 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 75V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 130A. Potência: 330W. On-resistência Rds On: 0.0078 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 75V

C (pol.): 6450pF. Custo): 1690pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca Rápida, Aplicações Automotivas . Id(im): 1080A. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. On-resistência Rds On: 1.8M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS