IPI80N06S2-08

Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 4	2.62€	3.22€
5 - 9	2.49€	3.06€
10 - 24	2.36€	2.90€
25 - 49	2.23€	2.74€
50 - 99	2.18€	2.68€
100 - 249	2.12€	2.61€
250 - 480	2.02€	2.48€

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Conjunto de 1

IPI80N06S2-08. C (pol.): 2860pF. Custo): 740pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Qualificação automotiva AEC Q101 . Id(im): 320A. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 2N0608. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 215W. On-resistência Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Carcaça: TO-262 ( I2-PAK ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-262. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Spec info: resistência ultrabaixa . Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 00:25.

Documentação técnica