Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.86€ | 2.29€ |
5 - 9 | 1.76€ | 2.16€ |
10 - 24 | 1.67€ | 2.05€ |
25 - 49 | 1.58€ | 1.94€ |
50 - 99 | 1.54€ | 1.89€ |
100 - 111 | 1.39€ | 1.71€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.86€ | 2.29€ |
5 - 9 | 1.76€ | 2.16€ |
10 - 24 | 1.67€ | 2.05€ |
25 - 49 | 1.58€ | 1.94€ |
50 - 99 | 1.54€ | 1.89€ |
100 - 111 | 1.39€ | 1.71€ |
IRF1010E. C (pol.): 2800pF. Custo): 880pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca rápida, resistência ultrabaixa. Id(im): 330A. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 83A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.
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