IRFP2907

IRFP2907. C (pol.): 13000pF. Custo): 2100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(im): 870A. DI (T=100°C): 148A. DI (T=25°C): 209A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 470W. On-resistência Rds On: 3.6m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 75V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.