Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.16€ | 3.89€ |
5 - 9 | 3.00€ | 3.69€ |
10 - 24 | 2.84€ | 3.49€ |
25 - 49 | 2.68€ | 3.30€ |
50 - 59 | 2.62€ | 3.22€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.16€ | 3.89€ |
5 - 9 | 3.00€ | 3.69€ |
10 - 24 | 2.84€ | 3.49€ |
25 - 49 | 2.68€ | 3.30€ |
50 - 59 | 2.62€ | 3.22€ |
IRF3710S. C (pol.): 3000pF. Custo): 640pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 210 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 180A. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.025 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 58 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.
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