Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRF1010N

IRF1010N
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IRF1010N. C (pol.): 3210pF. Custo): 690pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 290A. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. On-resistência Rds On: 0.11 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Usado para: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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C (pol.): 2800pF. Custo): 880pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca rápida, resistência ultrabaixa. Id(im): 330A. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 83A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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