Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1010N

Transistor de canal N, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1010N
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Transistor de canal N, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1010N. Transistor de canal N, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.11 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3210pF. Custo): 690pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 290A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Usado para: -55...+175°C. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 04:25.

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Transistor de canal N, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 83A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 2800pF. Custo): 880pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca rápida, resistência ultrabaixa. Id(im): 330A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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