Transistores

Tipo de canal: N-P. Função: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 47 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 25A. Ic(pulso): 40A. Ic(T=100°C): 10A. Marcação na caixa: 5N120BND. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 182 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Transistor IGBT série NPT com diodo hiperrápido antiparalelo. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 6V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.8V. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Função: HA, hi-def. Nota: 0.2. Spec info: MONITOR

Quantidade por caixa: 1. Função: HA, hi-def. Nota: 0.2. Spec info: MONITOR. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 47. Ganho mínimo de hFE: 29. Corrente do coletor: 7A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -50...+150°C. Vcbo: 450V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 10V. Spec info: Transistor Planar Epitaxial

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 160...320. Corrente do coletor: 0.1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126ML. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Spec info: transistor complementar (par) HSB1109

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 160...320. Corrente do coletor: 3A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Spec info: Carcaça NÃO isolada. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

C (pol.): 250pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 45 ns. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 75307D. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 250pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 45 ns. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 75307D. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-252AA ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3200pF. Custo): 1170pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 105 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Regulador de comutação. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 75344 G. Pd (dissipação de energia, máx.): 285W. On-resistência Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3200pF. Custo): 1170pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 105 ns. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 75344 P. Pd (dissipação de energia, máx.): 285W. On-resistência Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3790pF. Custo): 810pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 145 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: UltraFET Power MOSFET. Id(im): 430A. DI (T=100°C): 65A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 75645 P. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. On-resistência Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3790pF. Custo): 810pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 145 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: UltraFET Power MOSFET. Id(im): 430A. DI (T=100°C): 65A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 75645 S. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. On-resistência Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-252AB ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 850pF. Custo): 465pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 58 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 76121D. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.017 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-252AA ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: HUF76145P3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 110 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 135 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4900pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 270W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. Função: 6 x IGBT For Power Management. Corrente do coletor: 15A. Nota: driver de motor CA trifásico. Frequência: 20kHz. Número de terminais: 24. Pd (dissipação de energia, máx.): 29W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 750 ns. Td(ligado): 600 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de canal: N. Função: 6 x IGBT For Power Management. Corrente do coletor: 20A. Nota: driver de motor CA trifásico. Frequência: 20kHz. Número de terminais: 24. Pd (dissipação de energia, máx.): 29W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 650 ns. Td(ligado): 970 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G03H1202. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 3A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 281 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.9V. Dissipação máxima Ptot [W]: 62.5W. Corrente máxima do coletor (A): 9.9A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de transistor: Transistor IGBT. Tensão da fonte de drenagem: 1200V. Corrente do coletor: 50A. Potência: 326W. Carcaça: TO-247AC

C (pol.): 4620pF. Custo): 240pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Função: VCEsat muito baixo. Corrente do coletor: 140A. Ic(pulso): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Marcação na caixa: G75H603. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 428W. RoHS: sim. Prazo de entrega: KB. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 265 ns. Td(ligado): 31 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1165pF. Custo): 40pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Corrente do coletor: 30A. Ic(pulso): 45A. Ic(T=100°C): 15A. Marcação na caixa: H15R1203. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 254W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 300 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.48V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.75V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1340pF. Custo): 43pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Função: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marcação na caixa: H20MR5. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 288W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 350 ns. Td(ligado): 260 ns. Tecnologia: TRENCHSTOP TM technology. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO247-3. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.55V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.75V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1500pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Função: Inductive?cooking. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marcação na caixa: H20R1353. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 405 ns. Td(ligado): 335 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247-3. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1350V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1360pF. Custo): 43pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Função: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marcação na caixa: H20PR5. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 288W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 235 ns. Tecnologia: TRENCHSTOP TM technology. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO247-3. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.85V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1350V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1460pF. Custo): 78pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Função: Soft Switching Applications. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marcação na caixa: H20T120. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 178W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 560 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS