IGW75N60H3

IGW75N60H3. C (pol.): 4620pF. Custo): 240pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Função: VCEsat muito baixo. Corrente do coletor: 140A. Ic(pulso): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Marcação na caixa: G75H603. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 428W. RoHS: sim. Prazo de entrega: KB. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 265 ns. Td(ligado): 31 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.