Transistores

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FZT558. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 0.2A. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FZT849. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7A. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FZT949. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5.5A. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.35V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 6V. Spec info: Tensão de saturação muito baixa

C (pol.): 1800pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 200A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): n/a. Marcação na caixa: G60N04K. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. On-resistência Rds On: 5.3m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 6.5 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Função: comutação de energia, conversores DC/DC. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 1700pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor fechado de nível lógico. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 39W. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IDM--80A pulse. Proteção GS: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Corrente do coletor: 3A. Nota: hFE 100...400. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Spec info: TO-92

C (pol.): 1450pF. Custo): 450pF. Tipo de canal: P. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1C ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Número de terminais: 3. Função: Transistor MOS IGBT de canal P. Spec info: amplificador de áudio. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de canal: N. Função: Comutação do inversor de ressonância de corrente . Corrente do coletor: 30A. Ic(pulso): 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 400 ns. Td(ligado): 30 ns. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P( GCE ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Número de terminais: 3. Spec info: transistor bipolar de porta isolada (IGBT). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 4650pF. Tipo de canal: N. Função: Aplicações de comutação de alta potência. Corrente do coletor: 30A. Ic(pulso): 60A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 0.3 ns. Td(ligado): 0.09 ns. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.45V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminais: 3. Spec info: transistor bipolar de porta isolada (IGBT). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de canal: N. Função: Aplicações de comutação de alta potência. Corrente do coletor: 37A. Ic(pulso): 100A. Ic(T=100°C): 18A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 0.51 ns. Td(ligado): 0.33 ns. Carcaça: TO-3P( N )IS. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 25V. Número de terminais: 3. Spec info: transistor bipolar de porta isolada (IGBT). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA hi-res (F). Corrente do coletor: 24A. Ic(pulso): 36A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.95V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 10V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 0.17...0.31us. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 35A. Ic(pulso): 80A. Ic(T=100°C): 17A. Marcação na caixa: 10N120BND. Pd (dissipação de energia, máx.): 298W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 165 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: Transistor IGBT série NPT com diodo hiperrápido antiparalelo. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 6V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.8V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 30. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 12N60A4. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 54A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5.6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 167W. Corrente máxima do coletor (A): 96A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Função: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Data de produção: 2014/17. Corrente do coletor: 54A. Ic(pulso): 96A. Ic(T=100°C): 23A. Marcação na caixa: 12N60A4D. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 96 ns. Td(ligado): 17 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.6V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.6V. Número de terminais: 3. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de canal: N. Função: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corrente do coletor: 24A. Ic(pulso): 96A. Ic(T=100°C): 12A. Marcação na caixa: G12N60C3D. Pd (dissipação de energia, máx.): 104W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 270 ns. Td(ligado): 14 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 20N60A4. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 70A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 73 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 7V. Dissipação máxima Ptot [W]: 290W. Corrente máxima do coletor (A): 280A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): 35 ns. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 20N60A4D. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 70A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 73 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 7V. Dissipação máxima Ptot [W]: 290W. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Corrente máxima do coletor (A): 280A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): UFS Series IGBT. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: HG20N60B3. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 25 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 220 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 165W. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Corrente máxima do coletor (A): 160A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Marcação na caixa: G20N60B3D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 165W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 25 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Spec info: Tempo de queda típico 140ns a 150°C. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Função: SMPS Series IGBT. Corrente do coletor: 75A. Ic(pulso): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marcação na caixa: G30N60A4. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 463W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 25 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: TO-247. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Função: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Corrente do coletor: 75A. Ic(pulso): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marcação na caixa: 30N60A4D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 463W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 25 ns. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Spec info: 463W. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de canal: N-P. Função: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 137 ns. Td(ligado): 36ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.45V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.2V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 75A. Ic(pulso): 300A. Ic(T=100°C): 63A. Marcação na caixa: 40N60A4. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 145 ns. Td(ligado): 25 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Spec info: 100kHz Operation At 390V 40A. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS