Transistor de canal N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V - GT30J322

Transistor de canal N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V - GT30J322. Transistor de canal N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P( GCE ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Função: Comutação do inversor de ressonância de corrente . Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 30A. Ic(pulso): 100A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Spec info: transistor bipolar de porta isolada (IGBT). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 400 ns. Td(ligado): 30 ns. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.1V. Produto original do fabricante Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 06:25.