HGTG10N120BND

Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 1	5.66€	6.96€
2 - 2	5.37€	6.61€
3 - 4	5.09€	6.26€
5 - 9	4.81€	5.92€
10 - 19	4.70€	5.78€
20 - 29	4.58€	5.63€
30 - 47	4.41€	5.42€

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Conjunto de 1

HGTG10N120BND. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 35A. Ic(pulso): 80A. Ic(T=100°C): 17A. Marcação na caixa: 10N120BND. Pd (dissipação de energia, máx.): 298W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 165 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: Transistor IGBT série NPT com diodo hiperrápido antiparalelo. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 6V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.8V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 30. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.

Documentação técnica