Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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HGTG20N60A4D

HGTG20N60A4D
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2 - 2 8.74€ 10.75€
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HGTG20N60A4D. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): 35 ns. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 20N60A4D. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 70A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 73 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 7V. Dissipação máxima Ptot [W]: 290W. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Corrente máxima do coletor (A): 280A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

Documentação técnica

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RoHS: sim. Carcaça: TO-247. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Função: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Corrente do coletor: 75A. Ic(pulso): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marcação na caixa: 30N60A4D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 463W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 25 ns. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Spec info: 463W. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS
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