Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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GJ9971

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GJ9971. C (pol.): 1700pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor fechado de nível lógico. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 39W. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IDM--80A pulse. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 05:25.

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C (pol.): 707pF. Custo): 224pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 20N6LG. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 0.039 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 9.6 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 15V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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