AO4407A

AO4407A. C (pol.): 2060pF. Custo): 370pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 7.4A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.7W. On-resistência Rds On: 0.0085 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1.7V. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 4407A. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.