FQU20N06L

FQU20N06L. C (pol.): 480pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 54 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 68.8A. DI (T=100°C): 10.9A. DI (T=25°C): 17.2A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 0.046 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Carga de porta baixa (tipo 9,5nC). Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 10:25.