GT35J321

GT35J321. Tipo de canal: N. Função: Aplicações de comutação de alta potência. Corrente do coletor: 37A. Ic(pulso): 100A. Ic(T=100°C): 18A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 0.51 ns. Td(ligado): 0.33 ns. Carcaça: TO-3P( N )IS. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 25V. Número de terminais: 3. Spec info: transistor bipolar de porta isolada (IGBT). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.