Transistores

C (pol.): 1220pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 48A. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 11.8A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 20 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET) . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 830pF. Custo): 195pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 208 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 76A. DI (T=100°C): 12.1A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 43W. On-resistência Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 135 ns. Td(ligado): 15 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET) . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 480pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 54 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 62.8A. DI (T=100°C): 11.1A. DI (T=25°C): 15.7A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 0.042 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 17nC, Crss baixo 5,6pF. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 543pF. Custo): 54pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 642 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 12A. DI (T=100°C): 1.9A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 39W. On-resistência Rds On: 4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 22.5 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 13nC, Crss baixo 5,5pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 740pF. Custo): 65pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 47W. On-resistência Rds On: 3.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 17nC, Crss baixo 5,6pF. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 480pF. Custo): 80pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 263 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 1.14 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 18nC, Crss baixo 15pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 515pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 18A. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 15nC, Crss baixo 6,5pF. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1290pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 26.4A. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 56W. On-resistência Rds On: 1.57 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Carga de porta baixa (típico 40nC), Low Crss 10pF . Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3170pF. Custo): 1150pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 212A. DI (T=100°C): 37.5A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 17nC, Crss baixo 5,6pF. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQPF8N60C. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 45 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 170 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1255pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 81 ns. Td(ligado): 16.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1

C (pol.): 1580pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 690 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Data de produção: 201432. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 59W. On-resistência Rds On: 1.29 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 790pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 5.4A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 44W. On-resistência Rds On: 0.7 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 93 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: +55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 28nC, Crss baixo 24pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2100pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Interruptor rápido, carga de portão baixa 40nC, Crss baixo 14pF . Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 130pF. Custo): 19pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: FQT1N60C. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. On-resistência Rds On: 9.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 7 ns. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 4. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 240pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 3.4A. DI (T=100°C): 0.55A. DI (T=25°C): 0.85A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.2W. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 7 ns. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Custo): 36pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 420pF. Custo): 195pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 83 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 37.6A. DI (T=100°C): 5.95A. DI (T=25°C): 9.4A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 6.5 ns. Tecnologia: DMOS POWER-MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 480pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 54 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 68.8A. DI (T=100°C): 10.9A. DI (T=25°C): 17.2A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 0.046 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Carga de porta baixa (tipo 9,5nC). Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1500pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): na. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. DI (T=25°C): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Número de terminais: 3. Função: Ifsm--30App. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.32 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 250V. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta velocidade

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 0.32 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 250V. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta velocidade

C (pol.): 5300pF. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 100A. Ic(pulso): 150A. Ic(T=100°C): 75A. Marcação na caixa: FS75R12KE3G. Dimensões: 122x62x17.5mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 355W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 42us. Td(ligado): 26us. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Função: ICRM 150A Tp=1ms. Número de terminais: 35. Nota: 6x IGBT+ CE Diode. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1380pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH-SPEED SW.. Id(im): 21A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 1.54 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 180 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

C (pol.): 74pF. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 1790A. Ic(pulso): 2400A. Ic(T=100°C): 1200A. Pd (dissipação de energia, máx.): 7150W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 0.92 ns. Td(ligado): 0.41 ns. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão limite Vf (máx.): 2.35V. Tensão direta Vf (min): 1.8V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.8V. Número de terminais: 7. Função: ICRM--Tp=1mS 2400A. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FZT458. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 0.3A. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C