FQPF9N90C

FQPF9N90C. C (pol.): 2100pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Interruptor rápido, carga de portão baixa 40nC, Crss baixo 14pF . Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 19:25.