FQPF9N50CF

FQPF9N50CF. C (pol.): 790pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 5.4A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 44W. On-resistência Rds On: 0.7 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 93 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: +55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 28nC, Crss baixo 24pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.