FQPF7N80C

FQPF7N80C. C (pol.): 1290pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 26.4A. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 56W. On-resistência Rds On: 1.57 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Carga de porta baixa (típico 40nC), Low Crss 10pF . Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.