FQU11P06

FQU11P06. C (pol.): 420pF. Custo): 195pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 83 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 37.6A. DI (T=100°C): 5.95A. DI (T=25°C): 9.4A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 6.5 ns. Tecnologia: DMOS POWER-MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.