FQT1N60CTF

FQT1N60CTF. C (pol.): 130pF. Custo): 19pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: FQT1N60C. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. On-resistência Rds On: 9.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 7 ns. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 4. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.