Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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FQPF4N90C

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FQPF4N90C. C (pol.): 740pF. Custo): 65pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 47W. On-resistência Rds On: 3.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 17nC, Crss baixo 5,6pF. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 19:25.

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C (pol.): 1150pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quan...
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C (pol.): 1150pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 900ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 15A. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K3565. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 70 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: sim
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C (pol.): 1150pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 900ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 15A. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K3565. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 70 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: sim
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C (pol.): 1140pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): na. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 10A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): na. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 2.1 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 210 ns. Td(ligado): 55 ns. Tecnologia: HVX-2 Series POWER MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS
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