FQT4N20LTF

FQT4N20LTF. C (pol.): 240pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 3.4A. DI (T=100°C): 0.55A. DI (T=25°C): 0.85A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.2W. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 7 ns. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Custo): 36pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 13:25.