Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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FQPF20N06L

FQPF20N06L
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FQPF20N06L. C (pol.): 480pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 54 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 62.8A. DI (T=100°C): 11.1A. DI (T=25°C): 15.7A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 0.042 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 17nC, Crss baixo 5,6pF. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 20:25.

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C (pol.): 345pF. Custo): 72pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 64A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.08 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Low Gate Charge. Proteção GS: NINCS
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