SPP08P06P

SPP08P06P. C (pol.): 335pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32.5A. DI (T=100°C): 6.2A. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO220-3. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Função: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.