FQPF5N50C

FQPF5N50C. C (pol.): 480pF. Custo): 80pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 263 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 1.14 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 18nC, Crss baixo 15pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.