Transistores

Custo): 180pF. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 17. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: J13009. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 180pF. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 28. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: J13009-2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 619. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Frequência de corte ft [MHz]: 165 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Material semicondutor: silício. FT: 190 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 480. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: transistor complementar (par) FMMT619. Spec info: impressão de tela/código SMD 720

Tipo de canal: N-P. Função: Y4. Marcação na caixa: Y4. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Habitação (conforme ficha técnica): SMT5. Quantidade por caixa: 2

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Número de terminais: 3. Função: hFE 5000. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) FP1016. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 5A. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Habitação (conforme ficha técnica): SANYO--PCP4. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Número de terminais: 7. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 2SB1121 e SB05-05CP integrados em um gabinete

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 65 MHz. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Número de terminais: 3. Função: hFE 5000. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) FN1016 . Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo CE: sim

Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 3A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): PCP4. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 6. Spec info: Transistor + diode block. Diodo CE: sim

C (pol.): 1.45pF. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 39A. Ic(pulso): 50A. Ic(T=100°C): 25A. Dimensões: 56.7x48x12mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 175W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 0.46 ns. Td(ligado): 0.08 ns. Tecnologia: Módulo híbrido IGBT. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.2V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Função: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Número de terminais: 33dB. Nota: 7x IGBT+ CE Diode. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 2150pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 730 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 6.32A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: FQA10N80C. Pd (dissipação de energia, máx.): 240W. On-resistência Rds On: 0.93 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 44nC). Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQA11N90C. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 130 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 270 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQA11N90C_F109. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 130 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 270 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQA 11N90. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 140 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 340 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1580pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 9.5A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 218W. On-resistência Rds On: 0.43 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 43nC). Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQA13N80. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 130 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 320 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 155 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1

C (pol.): 2800pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 420 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 74A. DI (T=100°C): 11.7A. DI (T=25°C): 18.5A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 65 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 44nC). Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3500pF. Custo): 520pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 96A. DI (T=100°C): 12.5A. DI (T=25°C): 24A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. On-resistência Rds On: 0.156 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 80 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 90nC). Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4200pF. Custo): 550pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 470 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 94A. DI (T=100°C): 14.9A. DI (T=25°C): 23.5A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 90 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 90nC). Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1250pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 132A. DI (T=100°C): 23.3A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 227W. On-resistência Rds On: 0.067 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 40nC). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2550pF. Custo): 710pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 198 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 144A. DI (T=100°C): 25.5A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 294W. On-resistência Rds On: 0.076 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 155 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Carga de porta baixa (típico 81nC). Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4830pF. Custo): 945pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 340 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 248A. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 62A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 298W. On-resistência Rds On: 0.029 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 245 ns. Td(ligado): 75 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 44nC). Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2500pF. Custo): 720pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 280A. DI (T=100°C): 49.5A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 214W. On-resistência Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Carga de porta baixa (típico 85nC). Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2100pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: FQA9N90C. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: sim. Peso: 4.7g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 44nC). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-3P. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQAF11N90C. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 130 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 270 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 120W. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. On-resistência Rds On: 0.91 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 30. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)