FQAF11N90C

FQAF11N90C. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-3P. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQAF11N90C. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 130 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 270 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 120W. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. On-resistência Rds On: 0.91 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 30. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 08:25.