Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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FQA24N50

FQA24N50
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FQA24N50. C (pol.): 3500pF. Custo): 520pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 96A. DI (T=100°C): 12.5A. DI (T=25°C): 24A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. On-resistência Rds On: 0.156 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 80 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 90nC). Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 08:25.

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