FQA24N60

FQA24N60. C (pol.): 4200pF. Custo): 550pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 470 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 94A. DI (T=100°C): 14.9A. DI (T=25°C): 23.5A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 90 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 90nC). Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 08:25.