FQA70N10

FQA70N10. C (pol.): 2500pF. Custo): 720pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 280A. DI (T=100°C): 49.5A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 214W. On-resistência Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Carga de porta baixa (típico 85nC). Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 08:25.