FQA28N15

FQA28N15. C (pol.): 1250pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 132A. DI (T=100°C): 23.3A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 227W. On-resistência Rds On: 0.067 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 40nC). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 08:25.