Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 4.91€ | 6.04€ |
5 - 9 | 4.67€ | 5.74€ |
10 - 24 | 4.42€ | 5.44€ |
25 - 25 | 4.18€ | 5.14€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 4 | 4.91€ | 6.04€ |
5 - 9 | 4.67€ | 5.74€ |
10 - 24 | 4.42€ | 5.44€ |
25 - 25 | 4.18€ | 5.14€ |
FQA13N50CF. C (pol.): 1580pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 9.5A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 218W. On-resistência Rds On: 0.43 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 43nC). Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.
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