FQA10N80C

FQA10N80C. C (pol.): 2150pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 730 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 6.32A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: FQA10N80C. Pd (dissipação de energia, máx.): 240W. On-resistência Rds On: 0.93 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 44nC). Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 19:25.