FQA11N90_F109

FQA11N90_F109. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQA 11N90. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 140 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 340 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 08:25.