Transistores

Tipo de canal: N. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 79A. Potência: 310W. Carcaça: TO-220AB. Função: Conversor de tensão DC/DC e inversores UPS. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 56A. DI (T=25°C): 79A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 150V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 6000pF. Custo): 820pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 64 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão DC/DC e inversores UPS. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2880pF. Custo): 3990pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 62 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão DC/DC e inversores UPS. Id(im): 60.4k Ohms. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 61A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 945pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 315 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 46A. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.46 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: UniFET TM II MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: Carga de porta baixa (típico 23nC), Low Crss 14pF. Proteção GS: sim

C (pol.): 480pF. Custo): 66pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 20A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 28W. On-resistência Rds On: 1.15 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: Carga de porta baixa (típico 11nC), Low Crss 5pF. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 720pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 20A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.5W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 6 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: Carga de porta baixa (típico 12nC), Low Crss 9pF. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1604pF. Custo): 408pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 13 ns. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: canal P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2010pF. Custo): 590pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 36ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 12 ns. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: canal P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1385pF. Custo): 275pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: controlador de carga da bateria. Id(im): 50A. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 10 ns. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: canal P. Spec info: Nível de proteção ESD HBM de 3,8kV. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: sim

Tipo de canal: N-P. Condicionamento: rolo. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: omplementary PowerTrench MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: Transistor de canal N (Q1), transistor de canal P (Q2)

Tipo de canal: P. Função: MOSFET PowerTrench 30V de canal P duplo . Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 2. Tecnologia: canal P. Spec info: td(on) 13ns, td(off) 48ns

Tipo de canal: P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Tecnologia: canal P. Spec info: td(on) 12ns, td(off) 68ns

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: FDS6670A. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 19 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 64 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2220pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 200 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2470pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Marcação do fabricante: Faixa VGS estendida (-25V) para aplicações operadas por bateria. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: FDS6675BZ

C (pol.): 2890pF. Custo): 500pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 65A. DI (T=100°C): n/a. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): n/a. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 7.7m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 210 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 1205pF. Custo): 290pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2500. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 9.8m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: controle de nível lógico. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): 8.2A. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: FDS6900AS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 29 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 570pF/600pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: FDS6912. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 29 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 740pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 475pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 8.5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 19m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 5 ns. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2)

C (pol.): 760pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N-P. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: transistor MOSFET duplo, Canais N e P, PowerTrench . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Quantidade por caixa: 2. Função: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: FDS9435A. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 528pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: P-Channel PowerTrench MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V

Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 15 ns. DI (T=100°C): 5.4A. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.030 Ohms. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: P. Função: Transistor MOSFET de canal P. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Spec info: 0.075 Ohms