FDS4435A

FDS4435A. C (pol.): 2010pF. Custo): 590pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 36ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 12 ns. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: canal P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.